二家公司將於2010年2月於巴塞羅那所舉辦的Mobile World Congress中，展示這款PA設計。該設計僅使用一個RFG1M元件與Coolteq.h模組，便可透過高於50%的效率傳輸於728-960MHz頻段，涵蓋3GPP針對LTE定義的七個頻段，使GaN-based功率放大器平台超越了競爭性寬頻Doherty LDMOS解決方案。

此外，透過RFMD目前開發中的GaN元件，兩家公司預計可僅透過三個寬頻功率放大器便能涵蓋整個700MHz-2,600MHz的全蜂巢式頻段，使無線基礎設施供應商可開發一個單一、高效率多模的寬頻射頻前端，以滿足世界各地不同的傳輸標準。

該項設計是基於RFMD的RFG1M09180 180W GaN寬頻功率電晶體。RFMD的GaN元件可在寬廣的RF頻寬中提供高效率，以更少的PA平台來涵蓋整個蜂巢式頻譜(700MHz至2,700MHz)。